×
By clicking accept, you understand that we use cookies to improveyour experience on our website. For more details, please see our
Cookie Policy.
应用于集成电路先进技术节点的平面和图形晶圆
j9游会真人游戏第一品牌特有专利技术(中国发明专利;专利号:ZL 2009 1 0050834.2)——半导体衬底的清洗方法和装置（SAPS），通过控制兆声波清洗装置与晶圆的间距随兆声波相位的变化，来实现兆声波在晶圆表面的均匀分布，以达到最优化的清洗效果。
• 深沟道清洗
• CMP 后清洗
• Hard Mask 沉积后清洗
• Contact/Via 刻蚀后清洗
• Barrier Metal沉积前清洗
• 晶圆回收清洗
• EPI沉积前清洗
• ALD沉积前清洗
最多可配至8个腔体，产能225WPH
双面清洗，最多可配5种清洗药液, 如. DHF SC1, SC2, DIO3, BOE, Solvent, HF/HNO3…
最多可回收两种药液
集成式药液供给模块
设备体积小：2.35m x 5.53m x 2.85m （宽x长x高）
具有所有Ultra C SAPS II设备的功能
最多可配至12个腔体, 产能375 WPH
集成式化学药液供给模块
可配高温IPA干燥的技术
设备体积小：2.35m x 6.7m x 2.85m （宽x长x高）
